类金刚石(DLC)薄膜具有优异的物理、化学性能,如高硬度、低摩擦系数、优良的耐磨性、在红外波段的透过性、化学惰性和生物相容性等,使它们在诸如真空微电子学、摩擦学、光电子学、声学、医学材料,直至工业包装、装潢装饰业等领域有巨大的应用潜力;而且与金刚石薄膜的制备相比而言,DLC薄膜具有制备方法简单、快捷和成本低、易于工业化推广的优点,即性能价格比较高。因此受到人们愈来愈多的关注。本文使用了电感耦合等离子体增强化学气相沉积(IC-PECVD)方法和介质阻挡等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)方法制备了DLC薄膜,选用CH4、C2H4和C2H2为放电气体,硅片为基底,通过红外光谱分析了DLC薄膜的成分,使用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌和硬度,使用台阶仪测量了薄膜的厚度,得出了沉积速率;研究了不同生长条件对所合成的薄膜的微结构、表面形貌、沉积速率以及对薄膜的力学性能的影响。通过红外光谱分析知道薄膜的主要成分为CHx(x=1,2,3)基团;AFM结果表明,两种方法沉积DLC薄膜,以CH4为放电气体沉积的薄膜同等条件下,粗糙度比另外两种气体沉积的薄膜要小,硬度要高;对于IC-PECVD法沉积DLC薄膜,不同的放电气体、在放电腔体中的不同位置,沉积的薄膜的性能随沉积条件的变化规律不一致;对于DBD-PECVD法沉积DLC薄膜,不同的放电气体沉积的薄膜的性能随沉积条件的变化规律也不一致。