1.在传统的真空蒸发法制备薄膜过程中，蒸发源和基底之间都有一个温度梯度，用来作为薄膜生长的主要动力。本实验中设计了一种等温薄膜生长过程，利用薄膜同界面的吸引作为主要动力，尤其突出了不同界面对薄膜生长的影响。其中，银基底表面生长的锗膜具有取向生长的特性，有望成为一种廉价的制备单晶锗膜的方法。2.实验中采用溶胶-凝胶法以锗酸根离子水溶液作为前驱体制备了Sn掺杂GeO₂粉体样品。用X射线衍射和红外光谱分析了试样的微观结构；用X射线能谱仪测试了试样的组成；用场发射扫描电子显微镜观察了试样的微观形貌；用紫外-可见光光谱分析了试样的禁带宽度。结果表明，Sn掺杂GeO₂粉体试样为单一六方GeO₂晶相。Sn的掺杂引起了GeO₂晶格常数有规律的变化和红外吸收光谱的红移。利用漫散射紫外-可见光光谱计算出GeO₂和Sn掺杂GeO₂试样的禁带宽度分别为5.04eV和4.51eV。荧光光谱显示Sn掺杂GeO₂试样具有新的发光性质，发光波长为325nm。3.实验中以二氧化锗粉末作为靶材料，以二氧化碳连续激光提供能量，在高纯氮气气氛下制得了灰黑色粉末。通过透射电子显微镜（TEM）观察其结构，用能量分散色谱（EDS）仪分析其化学组成，用X射线衍射（XRD）分析其晶体结构，使用荧光光谱表征其光学性质。结果显示产物为外形规则的球形GeO₂/Ge核壳结构，表面光滑，其外壳为六方结构的GeO₂和无定形结构的GeO₂，其核组成为金刚石结构的Ge纳米颗粒，粒径在50nm左右。核壳结构在365nm的光的激发下有480nm的蓝光发出，锗纳米颗粒在362nm的光的激发下有414nm的光发出。