热氧化法与PLD法制备ZnO薄膜及其特性

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是一种多功能的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料。由于在短波长光电器件方面拥有巨大的潜在应用价值,近十年来,在全世界范围内掀起了有关ZnO薄膜的生长工艺和光电特性的研究热潮。本论文中,我们采用两种不同的生长工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,一种是热氧化金属Zn膜法,另一种是脉冲激光沉积(PLD)法。并用x射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)

【作者】

：

赵杰

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2005年06期

【关键词】

：

氧化锌热氧化脉冲激光沉积 X射线衍射反射式高能电子衍射光致发光

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