碳化硅(SiC)作为典型宽禁带的第三代半导体材料,由于其在高频、高温、抗辐射及极端环境中的良好性能,而引起了极大的关注。纳米材料在制备过程中,由于实验条件和环境的影响不可避免存在很多的空位和间隙等本征缺陷,而这些缺陷对于材料的性能有很大的影响。表面改性作为一种不改变材料固有性能的方法,能够很好的抑制表面缺陷对纳米线的影响。在本文中我们系统的研究了 2H-SiC的空位缺陷以及氢钝化和羟基钝化两种表面改性方法对2H和3C-SiC的影响。论文主要内容如下:首先,介绍了碳化硅纳米线的研究背景及结构与基本性质,并且阐述了所运用的基本原理。然后,我们对存在空位缺陷的2H-SiC的电子结构和光学性质进行了分析计算,发现碳原子和硅原子两种不同空位缺陷对光电性能的影响显著。最后,我们对2H-SiC以及3C-SiC进行了氢钝化和羟基钝化两种不同的表面改性计算,发现钝化以后,能带和介电常数等电学性质相较未钝化的存在明显差异,进而从态密度分析了导致这个情况产生的原因。