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硅空位相关论文
碳化硅纳米线表面缺陷及表面改性研究
碳化硅(SiC)作为典型宽禁带的第三代半导体材料,由于其在高频、高温、抗辐射及极端环境中的良好性能,而引起了极大的关注。纳米材......
学位
SiC纳米线
碳空位
硅空位
第一性原理研究
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