行走助行器控制系统的设计分析与软件开发

来源 :东北大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sheeperds
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随着人口老龄化趋势的逐年加剧我国已进入老龄化社会,需要照顾的老年人日趋增加;与此同时生活节奏的加快也使得当今社会的年轻人承受着巨大的工作和生活压力,人们渴望从繁杂的家务劳动和家庭压力中解脱出来,这些原因均为助老助残服务型机器人提供了广阔的市场空间。本文设计了一款基于倒立摆模型的行走助行机器人,对其软硬件及控制系统进行了设计开发,实现了根据系统姿态角来调速、转弯和刹车的功能。根据助行器指标要求进行了机器人结构设计,对系统硬件采用模块化设计的方法完成。通过分析各模块指标要求,比较目前硬件性能指标,选择了以STM32开发板为核心的控制器、加速度计和陀螺仪组成的姿态检测模块、直流减速电机、编码器和电机驱动装置组成的电机模块等。根据一级倒立摆原理采用牛顿法建立了系统的动力学数学模型,得到助行器的状态空间模型和输出方程,并分析了系统的稳定性、能控性、能观性和阶跃响应特性,明确了设计控制器对其进行控制的必要性。根据所选硬件的原理图和主程序设计流程图,对助行器系统软件平台进行搭建,完成了编码器、电机等外设接口的相关配置。助行器运动控制系统进行开发时,针对惯性传感器单一性的缺点,采用卡尔曼滤波和互补滤波算法融合陀螺仪和加速度计测得的姿态信息,得到鲁棒性和准确性好的倾角值;搭建Simulink双闭环PID控制系统仿真模型得到倾角控制和速度控制的相关系数,用PID算法实现助行器的速度控制和转弯控制。通过实验验证了系统姿态检测的准确性,实现了根据倾角变化调节电机速度、刹车和转弯的功能。行走助行器控制系统的设计分析与软件开发,对开发助行器具有重要的参考价值与意义。
其他文献
[db:内容简介]
与传统的传感器相比,微纳传感器具有体积小、重量轻、功耗低、耐用性好、价格低廉、性能稳定等突出的优点,加之其极小的质量、极高的共振频率和品质因子(Q值),它们作为超灵敏的传感器被广泛地应用于多个科学技术领域。为了获得精确的共振频率测量结果,需要测其在真空环境下的频率。然而,微纳传感器很多时候需要工作在流体或气体环境中。当传感器沉浸在流体(液体或气体)环境中时,传感器的振动受到阻尼的影响,能量耗散增大
[db:内容简介]
[db:内容简介]
随着我国制造加工业的飞速发展,机械产品零部件的加工精度要求越来越高了,数控机床的加工质量直接影响着我国制造加工业的发展速度。主轴系统作为数控机床的执行件,直接或间接带动工件或刀具参与切削运动。因此,主轴系统的可靠性直接影响数控机床的加工精度和加工效率,对主轴系统进行可靠性建模及可靠性分析尤为重要。本论文主要以数控机床主轴系统作为研究对象,建立系统可靠性模型,并进行可靠性分析研究。主要工作内容如下:
脊髓损伤(SCI)是由各种原因引起的脊髓结构、功能的损害,造成损伤平面以下脊髓功能障碍,包括运动功能障碍、感觉功能障碍、括约肌功能障碍及自主神经功能障碍等,给患者及家庭、社会带来巨大痛苦和沉重负担,而现有医疗条件不能完全治愈SCI。随着近年来干细胞技术的兴起和再生医学的发展,干细胞移植成为治疗SCI等中枢神经系统损害的新希望。脊髓损伤后,在损伤部位以下的GABA神经元的大量死亡,导致GABA信号的
搅拌工艺是现代工业生产的重要环节之一,被广泛应用于制药、乳制品生产等行业,目前,工业搅拌控制系统多工作于网络环境。为保证搅拌质量,系统尽可能按设定参数进行工作;为达到批量生产,通常需要多台搅拌系统协调运行。但系统网络时间延迟等不确定因素的存在既不利于单搅拌系统的控制效果,也不利于实现多搅拌系统的协调与跟随。因此,需要对网络环境下的搅拌控制系统时延问题进行处理。本文在实验室环境下模拟工业生产中的实际
伴随着全球经济和工业飞速发展,能源与环境成为掣肘人类社会进步的两大重要问题。二氧化钛因成本低廉、稳定性好、自放电点位低、体积膨胀小、光吸收特性高、绿色环保等诸多优点,在光催化分解水制氢和锂离子电池(Li Bs)负极方向具有非常广阔的应用前景。然而,二氧化钛在光催化方面因其带隙较宽,对可见光的利用较差,活性位点少,且光生电子-空穴对易发生复合,需要对其进行改性研究;同时,二氧化钛在用于锂电池电极材料
膜分离技术已被广泛应用于解决水资源短缺问题。基于膜分离技术,超滤、纳滤、反渗透和正渗透(FO)已在各个层面上实现了海水淡化和废水处理,而膜是膜分离技术核心之一。以聚酰胺(PA)为基础的薄膜复合(TFC)膜因其简便的制备过程和优异的分离性能而备受人们的青睐,在FO过程中也得到了广泛的应用,但通过传统的方法制备的TFC FO膜相对疏水,水通量较低并且易被污染,究其本质,是由PA层本体物化性质和表面结构
单层/少层过渡金属硫化物(TMDs)是“后摩尔定律时代”集成电路产业重要的取代硅高迁移率新型沟道材料,是当前学术界及产业界关注的焦点。本研究选取TMDs家族中MoTe2材料体系作为研究对象,其主要特点在于:MoTe2具有与当前集成电路产业硅沟道材料具有相同带隙(~1.1e V),同时显著区别于其他TMDs材料体系,MoTe2室温下可制备多种复杂结构晶相,有助于制备高性能及新结构微电子器件,进而使得