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溴铅铯具有高平均原子序数（Cs:55,Pb:82,Br:35）,高电阻率(1011°??cm),宽禁带宽度（2.26 e V）,较大的载流子迁移率寿命积等优点,是一种非常有前景的室温半导体核辐射探测新材料。目前对溴铅铯单晶的生长和研究还非常少,处于起步阶段。溴铅铯的熔点较低（567°C）,适合采用熔融法进行晶体生长。电控动态梯度法就是利用熔融法生长晶体的原理,通过电流控制炉腔温度梯度区温度的变化而实现晶体生长。本文围绕溴铅铯晶体的电控动态梯度法生长展开系统研究,并对晶片的退火处理进行了探索。首先,通过固相合成方法,以CsBr和PbBr2为原料合成了晶体生长用的CsPbBr3原料,其XRD测试图谱与序号00-054-0752的XRD标准图谱衍射峰十分吻合,无杂相的存在,适合晶体生长。然后,系统的研究了电控动态梯度法生长溴铅铯单晶的生长工艺,探索出了适合溴铅铯晶体生长的温度梯度和生长速率。发现温度梯度在7-10°C/cm,生长速率0.5mm/h时可以生长出较好的晶体,经过X射线衍射测试发现不同的晶体结晶具有不同的择优取向,典型的两个择优取向沿（321）和（220）方向。经过切割、抛光、化学腐蚀等处理工艺得到了Φ8mm×1mm的溴铅铯晶片。晶片的红外透过光谱表明透过率都在60%左右。紫外-可见光透过光谱的透过截止波长为548nm,计算得到禁带宽度为2.26e V。通过晶片的I-V特性曲线研究,得到晶片的电阻率都在109??cm以上。最后测试了晶片对241Am放射源的能谱响应,发现晶片对放射源有较明显的响应,但是分辨率不是特别理想,有待改善。分别在空气、真空、N2三种不同气氛中对晶片进行了低温（90-150°C）退火处理。结果表明,退火处理可以明显降低晶片的暗电流,晶片的电阻率提高了几倍到几十倍不等。其中,在空气中120°C退火后晶片的电阻率提高了70多倍,具有较好的效果。