【摘 要】
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分别以锁相放大器和傅立叶红外光谱仪搭建两套光电流测试系统.利用这两套系统对锗硅低维量子结构和多孔硅多层膜结构的光电特性进行了研究.1、测量了不同偏压下的量子阱样品
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分别以锁相放大器和傅立叶红外光谱仪搭建两套光电流测试系统.利用这两套系统对锗硅低维量子结构和多孔硅多层膜结构的光电特性进行了研究.1、测量了不同偏压下的量子阱样品的光电流谱,观察到两个光电流峰随偏压的变化情况,光电流峰A随着正偏压的增大发生蓝移,把这两个光电流峰和量子阱内的子能带的跃迁相联系,建立能带模型,对光电流峰的产生和随偏压的变化给出了很好的解释;研究了量子阱样品在带边附近(低能端)的光电流信号随温度变化,根据能带机构,这部分光电流信号的变化是由电子从硅的价带向导带量子阱阱底的跃迁引起的;同时利用构建的系统测量得到量子点样品的光电流谱随偏压的变化情况,并从光电流谱上观察到量子点中的库仑荷电效应.2、多孔硅微腔的吸收特性灵敏于有机分子(如油分子)在其孔表面的吸附,通过光电流谱的测试发现多孔硅微腔表面吸附大量的油分子会造成其吸收峰峰位的红移,这将是多孔硅微腔成为新一代高性能的光电器件材料的势垒;同时对"量子阱"多孔硅多层膜结构的反射谱和光电流谱进行研究,观察到此结构的光子禁带中的分立光子态的存在,并利用光子晶体的能带结构模型和传输矩阵方法计算了"量子阱"多孔硅多层膜结构的反射谱,理论计算结果和实验结果符合的比较好.
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