CMOS射频LC-VCO的AM-PM相位噪声抑制技术研究

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近几年无线通信系统的蓬勃发展推动了低成本、低功耗CMOS无线收发机的研究与开发。CMOS技术为射频集成电路的低成本、低功耗实现提供了可能,但同时CMOS工艺固有的缺陷也使得CMOS电路的设计比较复杂。LC-VCO作为频率综合器的核心部件,其电路本身AM-PM转化的相位噪声,使得在CMOS工艺下的低功耗实现更加复杂。本文重点研究了LC-VCO的AM-PM转化的相位噪声抑制技术,主要内容包括两个方面:   首先,本文通过对单端LC-VCO进行一系列电路理论分析,推导出了其AM-PM转化因子,发现其电路AM-PM转化的相位噪声非常大,并且得知抑制该相位噪声的关键在于减小谐振腔中可变电容的非线性效应。为此,对提出了两种谐振腔改进电路进行理论分析,得出背对背LC-VCO电路具有明显的AM-PM转化抑制效应,而差分调谐LC-VCO电路对AM-PM转化抑制能力较差。   其次,为了验证上述理论分析的有效性,本文基于 Cadence软件中的Spectre-RF,采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对单端调谐LC-VCO、差分调谐LC-VCO和背对背调谐LC-VCO三种电路的AM-PM转化的相位噪声性能进行仿真。仿真结果表明,背对背LC-VCO中AM-PM转化在频偏较近处的相位噪声性能明显优于单端调谐LC-VCO、差分调谐LC-VCO,而且这种改进电路在抑制AM-PM转化的相位噪声的同时,并未减小振荡器的调谐范围和增加功耗。
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