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CaCu3Ti4O12巨介电陶瓷一直以来因为其巨介电常数受到广泛关注,且优良的温度稳定性和频率稳定性更是增加了其实用性。随着电子产业微型化、高密度化成为主要趋势,CCTO介电陶瓷的研究进度愈发快速。但是目前CCTO的高介电损耗仍然是关键问题,为了进一步提高CCTO的介电性能,实现其实际应用性,需要开展深入工作。本文通过固相反应法制备了CCTO介电陶瓷,并针对其介电性能的改善进行了一系列的掺杂改性实验研究,研究不同元素在掺杂量不同的条件下对CCTO介电陶瓷微观结构及其介电性能的影响,研究内容及成果如下:（1）掺杂一定量的Nb取代部分Ti,可以极大程度的提高CCTO陶瓷的介电常数,Nb掺杂量为0.05时介电性能最好,介电常数最大值约为384000,介电损耗最低约为0.189,掺杂量超过0.1的陶瓷样品介电常数开始下降,介电损耗继续增大。（2）在掺杂Nb的得到高的介电常数及较高介电损耗的CCTNO陶瓷的基础上尝试Nb-Al双元素共掺杂,在CCTO中掺杂Al可以有效降低介电损耗,Nb的掺杂量为0.05,Al的掺杂量在00.2范围内可以有效降低介电损耗,但相应的介电常数明显下降。（3）降低Nb的掺杂量为0.02以降低介电损耗,在制备的CCTNO陶瓷基础上添加Si O2作为第二相降低介电损耗,但是引入第二相会导致介电常数降低。当Nb的掺杂量为0.02,SiO2添加量为0.1wt%的样品介电常数比CCTO陶瓷样品提高了一倍,介电损耗最小约为0.151,比未添加SiO2的CCTNO陶瓷介电损耗有所改善。（4）添加第二相SiO2导致介电常数降低,所以用Nb-Mg双元素掺杂在尽量保持介电常数的基础上降低介电损耗。Nb掺杂量为0.02,Mg掺杂量为0.05的CCMTNO陶瓷样品在103Hz105Hz频率范围内介电常数提高了的同时介电损耗也得到明显改善。