【摘 要】
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在该论文中,我们利用磁控溅射的AlO作为缓冲层在Si(111)衬底上制备GaN膜,这首先可以解决以上提到的三个困难;另外,在硅与GaN之间引入一层α-AlO绝缘层对于实现硅-绝缘体技术
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在该论文中,我们利用磁控溅射的Al<,2>O<,3>作为缓冲层在Si(111)衬底上制备GaN膜,这首先可以解决以上提到的三个困难;另外,在硅与GaN之间引入一层α-Al<,2>O<,3>绝缘层对于实现硅-绝缘体技术和三维集成电路有很重要的意义,同时此法所用Al<,2>O<,3>量少,解决了成本高的问题;该文详细叙述了薄膜的制备过程,探索了薄膜的制备条件和工艺参数对薄膜的结晶质量和表面形貌的影响,并找出了用此方法制备GaN薄膜的最佳生长参数.并且还研究了薄膜的发光特性,初步探讨了其发光机制.另外采用热壁化学气相沉积法在硅衬底上制备GaN晶体膜也是该文研究的主要内容.
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