原子系统中的量子相干和量子干涉得到广泛的研究。最近，随着晶体生长技术的发展，人们能够成功制备出半导体量子阱结构。作为新的量子相干介质，很多量子相干效应能够在半导体量子阱结构观察到。和原子结构相比，半导体量子阱也具有离散可控的能级结构而且能够很容易集成。因此，在半导体量子阱结构中研究量子相干和干涉效应具有极大的实用价值。　　本论文主要研究了半导体量子阱结构中的超慢光传播和超慢光孤子的产生等非线性光学现象。主要内容如下：　　（1）研究了半导体三量子阱结构中的光脉冲吸收和慢光效应，结果表明有损干涉和有益干涉都可以很好的控制，从而可以利用一个弱探测场就能得到吸收跃迁。在只有脉冲光和量子阱作用的情况下，能够得到超慢光的传播，当加入一个强控制光，随着控制场强度的增加，量子相干效应会引起退相干效应，最后出现电磁诱导透明，从而出现更加明显的慢光效应。　　（2）研究了半导体双量子阱中的超慢光孤子，在一个不对称的耦合双量子阱系统中，利用一个弱探测场和两个控制场连续驱动，可以得到超慢亮光孤子和超慢暗光孤子。选择一个合适的吸收系数，平衡群速度的色散，就可以使探测场形成超慢光孤子。