高Q值Li3Mg2SbO6基微波介质陶瓷及其应用研究

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随着无线通信技术的快速发展,高性能微波介电陶瓷已广泛应用于天线、谐振器与滤波器等微波元器件。具有低介电常数、高Q值和近零谐振频率温度系数的Li3Mg2SbO6陶瓷,有望在5G通信设备中发挥重要作用。本文系统研究了 A位、B位离子取代和LBBS玻璃掺杂对Li3Mg2SbO6陶瓷物相组成、烧结特性与介电性能的影响。基于本文研究陶瓷材料,通过HFSS软件设计一款微带天线。首先,为了改善Li3Mg2SbO6陶瓷的介电性能,通过Zn2+、Cu2+离子分别取代Li3Mg2SbO6陶瓷A位的Mg2+离子。利用固相反应法制备了 Li3(Mg1-xZnx)2SbO6(x=0.04)陶瓷(εr=7.8,Q×f=97 719 GHz,τf=-6 ppm/℃)和 Li3Mg2-xCuxSbO6(x=0.02)陶瓷(εr=8.97,Q×f=108 607 GHz,τf=-2 pppm/℃)。所有样品都形成固溶体,未有第二相。结果表明,适量离子置换能够促进晶粒的生长从而改善陶瓷的微波介电性能。εr值主要受密度的影响,Q×f值归因于晶粒尺寸和最大半高宽的影响。之后用Mo6+、Ti4+离子分别取代Li3Mg2SbO6陶瓷B位的Sb5+离子,过量的Mo6+离子取代会形成第二相,而Ti4+离子取代则形成纯相。Mo6+离子取代促进晶粒的生长,但对陶瓷的介电性能影响不大。适量Ti4+离子置换能够促进晶粒的生长,提高品质因数,其中Li3+xMg2Sb1-xTixO6(x=0.06)陶瓷具备优异微波介电性能:εr=10.02,Q×f=146 834 GHz,τf=8 ppm/℃。其εr主要受孔隙率和离子极化率作用,Q×f值增加归因于原子堆积分数的增加,τf值与SbO6八面体畸变相关。为了实现低温烧结,满足LTCC技术,对Li3Mg1.92Zn0.08SbO6陶瓷进行LBBS玻璃掺杂。当掺杂3 wt%时,Li3Mg1.92Zn0.08SbO6陶瓷可以在950℃达到最佳烧结温度,其介电性能:εr=8.57,Q×f=37 660 GHz,τf=-16 ppm/℃。对其物相组成、烧结特性和微波介电性能开展详细分析,结果表明,掺杂过量的LBBS玻璃会导致第二相的出现,适量LBBS玻璃可以促进样品致密化和烧结温度降低。最后,选择Li3.06Mg2Sb0.94Ti0.06O6微波介质陶瓷材料作为微带天线的介质基片。通过相关公式确定微带天线尺寸,利于HFSS软中建立并优化设计一款同轴馈电微带天线。设计出中心频率2.45 GHz,带宽约20 MHz,增益最大值为7.31 dBi的微带天线。验证了本文研究的陶瓷材料能够制作天线,具有潜在应用价值。
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