TDDB相关论文
近年来各种实验表明,Ar+轰击SrTiO3会出现准二维电子气（Q2DEG）,这使得Sr TiO3从绝缘态变为半导体成为可能。传统栅氧化物在发展过程......
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研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted, PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Tim......
碳化硅(SiC)作为一种优异的第三代半导体材料,具有很多优良的电学和物理特性:禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、载流子饱和漂移......
电容作为一种主要的无源器件在集成电路的设计应用中越来越多。而MIM（Metal Insulator Metal）电容凭借其低寄生电容,低接触电阻的优......
在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级......
采用恒定电压应力对90nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验，深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理，并对器件寿命进行预测和分析。结......
基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔......
通过衬底热空穴（SHH，Substrate Hot Hole)注入技术，对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究。与通常的F－N应力实验相比，SHH导致的薄栅氧......
提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法．该方法可以用于对工艺的实时监控．通常情况下，为了得到栅极氧化膜在器件使用温度下的......
文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素......
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性,发现SOI材料片的制备与抗总剂量......
这是一种基于Global拟合归一化的晶片级栅氧TDDB可靠性寿命的评估方法,根据栅氧化层TDDB失效累积时间遵从威布尔分布,对测试数据进......
在1／2月刊《集成电路制程可靠性介绍（一）》中，我们介绍了HCI、NBTI和TDDB三种主要的失效模式，本文将继续简单介绍其他几种失效模式的物......
随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究也受到广泛关注,新型功率器件不断涌现,特别是由于MOS栅功率器件的出现,引发了功率集......
本论文的主要目的是通过研究深亚微米集成电路器件中栅氧化层可靠性,利用笔者所在公司不同技术代工艺制造的器件深入探讨栅氧的经......
在斜坡电压应力条件下对GaAs MMIC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)......
随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量......
CMOS集成电路已成为现代信息科学技术的产业基础,产业界为了追求高性能、低功耗以及低成本,不断提高集成电路的集成度,这使得晶体......
如今,不断提高的现代社会的信息化程度使得信息安全成为人们关注的焦点。并且,随着集成电路技术的不断进步和发展,一种保障信息安......
集成电路遵循摩尔定律飞速发展,器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,后段金属互连对芯片工作的速度、功耗等影响也越来越大。......
与硅相比,第三代半导体碳化硅拥有极好的性质,比如高热导率,高电子迁移率等,同时也是唯一一种能够通过热氧化过程生长氧化膜的化合......
在半导体工艺尺寸不断减小的情况下,栅介质层厚度不断减薄,一方面满足保持控制沟道电流的能力,一方面控制短沟道效应。栅氧化层已......
在0.25um以下的高阶制程中,通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能......
