随着世界人口总数的不断增长,经济全球化的不断加深,人类社会对能源的需求量也在不断增加,一方面化石能源面临枯竭,另一方面化石燃料的大量使用导致严重的环境污染问题,危及人类的生存。因此,大力开发新能源,寻找一种绿色无污染,可再生的能源是各国科研人员努力的方向。强磁场具有强大磁化能力,可以使得非铁磁性物质也能显示出内部磁性。强磁场与普通磁场的不同之处,是可以将高强度的磁性传递到物质的原子尺度,从而改变原子的迁移、匹配和排列等行为,进而对材料的组织和性能产业深远的影响。磁场在材料的制备过程重,可以控制材料的形态、大小、分布和取向等性质,从而影响材料的组织结构,最终获得拥有优良性能的新材料。太阳能的应用就是利用太阳能电池将辐射能转换为电能,也就是进行光电转换,因此要想提高太阳能的利用效率,必须提高太阳能电池光电转换效率,在太阳能电池表面构造凹凸结构,可以降低多晶硅表面的光反射率,并且能使光线多次折射,增加光程,从而使照射在太阳能电池表面的光线的利用效率增大进而使多晶硅电池的光电转换效率提高。因此多晶硅表面织构化是提高太阳能电池光电转换效率的有效方法。将多晶硅表面织构化有很多手段,本文在强磁场下结合传统多晶硅片表面织构方法进行了实验,主要有以下内容构成:(1)研究化学腐蚀过程中强磁场对多晶硅片少子寿命和表面织构的影响,在磁场方向与多晶硅片表面平行,磁场强度为4T、磁场作用时间10min、磁场作用温度80℃时,得到的多晶硅片表面绒面结构表面形貌良好,具有较低的反射率并且能保证良好的电学性能。(2)利用激光刻蚀结合化学腐蚀方法构建多晶硅表面织构,在激光强度为13A、重复频率20hkz、激光速度为40nm/s、入射角度为45°时,得到的多晶硅片表面绒面结构表面形貌良好,具有较低的反射率并且能保证良好的电学性能。(3)研究激光刻蚀的多晶硅片在强磁场作用下化学腐蚀后的表面织构,在磁场强度为4T、磁场作用时间10min、磁场作用温度80℃时,得到的多晶硅片表面结构表面形貌良好,具有较低的反射率并且能保证良好的电学性能,并且反射率在三种工艺中最低。