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本论文是在国家自然科学基金(GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性,项目批准号:60476008)项目的支持下进行的。GaN基稀磁半导体,尤其是GaMnN以其超过室温的居里温度和本底材料GaN可以在高温、大功率光电器件领域得到广泛应用,而成为最有前景的稀磁半导体材料。本文是在生长GaN薄膜工艺基础之上,通过掺入Mn而对GaMnN稀磁半导体薄膜的生长与特性进行研究。实验是在自行研制的配有反射高能电子衍射(RHEED)原位监测设备的电子回旋共振—等离子体增强金属有