近年来，随着器件物理和微细加工技术的迅速发展，半导体量子点由于量子尺寸效应和表面效应成为了人们研究的热点。但是研究中的一大障碍是很难制备出高质量的半导体量子点。到目前为止，研究较多的是Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族的量子点。而Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的直接带隙只有0.2eV，比Ⅱ-Ⅵ族材料更小，可以实现整个中红外和远红外波段范围的覆盖，并且具有高度对称的能带结构及重空穴缺失等特点，引起了人们极大的关注。本文首先介绍了量子点的概况以及一些特别的特性。叙述了包括量子尺寸效应和表面效应在内的量子点的基本特性。然后介绍了量子点的研究历史以及应用方向，接着具体阐述Ⅳ-Ⅵ族量子点的特性和优点。第二部分叙述了目前制备半导体量子点的基本方法及其特点。第三部分介绍了本文研究的制备PbS量子点的具体方法。通过将由FeS和HCl反应得到的H₂S气体注入含有Pb（Ac）₂，油酸，十八烯和十二胺的混合溶液与之反应得到PbS量子点。根据得到的不同量子点继续设计了一系列的实验以探求最佳反应条件。X射线衍射（XRD）图谱显示出我们合成的PbS量子点的结晶性较好，具有与体相PbS一样的面心立方结构。透射电子显微镜（TEM）照片显示量子点为球形或者规则棒状结构，没有出现团聚现象。经过对比发现随着量子点尺寸的减小，量子点的吸收谱和光致发光谱都呈现出蓝移现象，表现出明显的量子限制效应。