富氮氮氧化硅膜的物理与电学特性研究

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该文采用光Ⅰ-Ⅴ法、雪崩热电子注入、俄歇电子能谱(AES)分析和红外光谱分析研究等离子体化学相淀积方法(PECVD)低温制备的富氮SiO<,x>N<,y>薄膜的微观物理结构、光学特性和电学特性.研究得出,PECVD方法形成的SiO<,x>Y<,y>的结构是Si-SiO<,x>N<,y>四面体无序网络结构,薄膜组分与反应气体比例、反应气体压强和补底温度有关.PECVD法低温制备的介质膜体电荷陷阱比单纯热氧化介质膜的体电荷陷阱降低了几倍,但它们仍处于同一数量级;PECVD法低温制备的介质膜体电荷陷阱平均分布中心有向M-SiO<,x>N<,y>界面移动的倾向,但两者介质膜体电荷陷阱都在介质膜中央附近;通过实验研究人员还证明了准分子激光器用于Ⅰ-Ⅴ法测量的可行性,提出实验光源光子能量的可行性方法.
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