【摘 要】
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在具有钙钛矿结构的稀土锰氧化物中由于发现了庞磁电阻(简称CMR)效应,从而成为近年来国际上的热点研究课题,这是因为它在磁传感器件中具有巨大的应用潜力,同时这类材料还包含
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在具有钙钛矿结构的稀土锰氧化物中由于发现了庞磁电阻(简称CMR)效应,从而成为近年来国际上的热点研究课题,这是因为它在磁传感器件中具有巨大的应用潜力,同时这类材料还包含着深刻的物理内涵.这类材料通常只有在高达几个特斯拉的磁场下才能出现CMR效应,而且使用温度也很低.因此,减小使用的磁场量级和提高室温下的CMR效应成为研究的焦点.近年来研究工作主要集中于元素掺杂和材料复合,利用自旋相关输运特性,以提高材料的低场磁电阻和室温磁电阻.该论文对钙钛结构锰氧化物材料进行了多种元素掺杂研究，并与绝缘体材料和导体材料进行了复合，研究了提高材料磁电阻的途径和提高材料室温磁电阻的有效方法，在CMR材料的应用研究中得到了有参考价值的实验结果.以下给出该研究工作中得到的最有意义的成果.1.La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3> 中A位和B位的掺杂效应;2.La<,0.67>Sr<,0.33>MnO<,3> 中五价Nb离子的掺杂效应;3.（La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3> ）<,x>/(ZrO<,2>)<,1-x>两相复合体系;4.钛钛矿材料与导体材料的复合.
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