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单片式非制冷红外焦平面阵列（UFPA）技术的发展需求对开发新型性能优良的铁电薄膜及其低温制备技术提出了迫切要求，由于（BaSr）TiO3（简称BST）是一种性能优良的铁电材料，适当组分BST的居里温度Tc位于室温附近，材料优质因子高，制备技术简单，能够满足高性能Si基集成UFPA的要求。为了制备满足Si基集成的UFPA，本论文开展了BST薄膜的低温生长研究。首先，本论文开展了筒形BST陶瓷靶材的烧结工艺研究，通过大量实验，确定了最佳烧结工艺的烧结温度为1400℃、保温2小时。所制