【摘 要】
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工作主要集中在以下几方面:1,我们利用激光剥离技术成功地将MOCVD生长的GaN基单层外延层和InGaN LD、InGaN LED结构外延层与蓝宝石衬底分离.实验表明,对于原蓝宝石衬底背面抛
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工作主要集中在以下几方面:1,我们利用激光剥离技术成功地将MOCVD生长的GaN基单层外延层和InGaN LD、InGaN LED结构外延层与蓝宝石衬底分离.实验表明,对于原蓝宝石衬底背面抛光的和背面未抛光的外延片,在单个脉冲辐射情况下,分别在能量密度为400mJ/cm<2>和600mJ/cm<2>时实现稳定剥离.2,分析对比了一次辐照和多次辐照产生的不同的辐照损伤情况,证明了在一次辐照的情况下,由于激光辐照引起的辐照损伤很浅,表面平整度很好,粗糙度较低.3,通过PL谱分析了剥离前后单层GaN样品物理性质的变化.分析了应力释放导致的带边峰红移现象.观察分析了在无支撑样品中带边峰附近3.37eV处出现的双峰现象.我们同时注意到剥离后外延层的黄光峰明显减弱的现象,分析了导致这种现象的原因,认为是由于高位错缺陷密度的缓冲层及邻近区的分解导致了黄光峰的降低,而该区域是黄光峰的重要发光区域,位错缺陷是黄光峰的主要来源.
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