激光剥离相关论文
废旧钴酸锂（LCO）电池所含金属离子及电解液等物质,如处理不当会对环境造成巨大危害,同时其正极材料中所含锂、钴等金属又是重要的资......
为了比较分析纳秒激光和皮秒激光剥离微型发光二极管（micro-LED）时AlN上GaN的热传导效果，采用了改进的实时紫外光吸收和热传导的激光......
近年来,氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）作为一种新型的固态光源,具有低功耗,长寿命,高发光效率等优点,在汽车照明、显示背光等方面发挥......
碳纤维复合材料(CFRP)被广泛应用于航空领域飞行器结构和部件的制造.由于飞机经常会在一些恶劣条件下工作,碳纤维表面涂层会老化失......
实现不同尺寸/材质的结构、器件从刚性衬底上无损剥离,是利用传统微电子制造工艺制备柔性电子器件的最关键环节。基于应力加载或化......
为实现激光去污技术在放射性表面污染金属废物清洁解控或循环再利用方面的应用,以350W的纳秒脉冲光纤激光器为基础搭建了激光去污......
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低......
运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基......
当聚焦激光束在焦平面上的光强分布为高斯分布时，理论推导了激光能量与激光在样品表面所烧蚀的坑洞半径的关系。以铝箔、铝反射镜和......
基于半导体制造工艺, 制备了尺寸为50μm×80μm的蓝光氮化镓(GaN)基Micro-LED芯片。芯片的正向导通电压在2.55V左右; 测试了10颗L......
本文介绍了美国相干公司的背景及其丰富的产品线。在讨论了准分子激光器在材料微加工领域具有的独特优势后，重点介绍采用准分子......
激光诱导击穿光谱（laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS）技术具有对样品元素进行即时即地的快速在线分析功能，因而引起了广泛的......
基于激光剥离(laser-ablation,LA)的固体样品直接采样和元素分析技术一直是处于分析科学领域前沿的研究课题,激光诱导击穿光谱(las......
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用M......
本文通过激光剥离技术,实现大面积GaN LED激光剥离,而且完整的保留了蓝宝石衬底,并且在剥离后的衬底上重新生长GaN基LED器件结构外......
GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表......
能用于器件制备的优质GaN极性及非极性衬底是解决目前GaN基光电器件发展瓶颈的主要途径，而氢化物气相外延法(HVPE)是目前实现GaN同......
目前电子制造行业中，从智能控制到智能操作，几乎都离不开电线电缆等电子器件的有效连接。这类构件由多层异质材料组成，它们需要逐层剥......
GaN基的LED和LD在研发上的突破性进展和商业化生产的成功实现，对同质外延的衬底材料提出了越来越高的要求。如何制备高质量大尺寸Ga......
GaN是一种宽禁带半导体材料,被广泛的用于蓝绿光发光二极管,GaN基LED的出现加速了全色显示和固态照明的发展,称为人们研究的热点。......
工作主要集中在以下几方面:1,我们利用激光剥离技术成功地将MOCVD生长的GaN基单层外延层和InGaN LD、InGaN LED结构外延层与蓝宝石......
GaN基蓝、紫光激光器是迄今为止半导体激光器中波长最短的可见光激光器，是高密度光存储系统中最有希望的光源。它可以将现有光存储......
氮化镓(GaN)基蓝紫光激光器是目前波长最短的可见光半导体激光器，是下一代高密度大容量光存储(DVD)系统的关键性器件，在国防安全领域......
如何提高氮化镓基发光二极管(GaN基LED)的出光效率是半导体照明技术研究的热点，目前还没有十分有效的方法解决这一问题，在这个领域还......
随着GaN基LED器件在照明领域的广泛应用，LED器件作为第三代半导体照明器件引发了照明革命，高功率LED器件成为了GaN基LED器件发展和研......
GaN基LED已经被广泛用于交通信号显示、大屏幕显示、液晶背光源、景观装饰及通用照明等领域。在实现固态照明方面，大功率垂直结构LE......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布.采用波长248 nm的......
利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表......
纳米粒子具有高的表面积,呈现更佳的物理与化学特性,常用于塑橡胶的添加物来改善或增进应用的特性.有许多纳米粒子的制作方法已商......
采用波长为10．61xm的TEACO：红外激光和波长为248nm的KrF准分子激光去除SMF28光纤涂敷层，研究了激光脉冲能量密度和脉冲数与涂敷层去除......
在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术，在400mJ／cm^2脉冲激光能量密度条件下，成功地将GaN薄膜......
柔性电子是可穿戴设备、物联网等应用发展的重要研究方向。激光剥离技术是一种利用激光能量来分离玻璃基板与柔性衬底的技术,具有......
通过激光剥离成功分离了GaN膜及其蓝宝石衬底.位于界面处的GaN吸收了波长248 nm的激光辐射,导致其热分解,产生Ga和N2气.再将样品加......
液化空气公司在美国的分支机构Balazs公司制用激光剥离技术开发出一种经典的材料分析工艺。......
制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过......
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子......
期刊
对激光剥离Al2O3／GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型．计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层......
利用激光剥离技术(LLO)和晶片键和技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴......
为了研究聚酰亚胺薄膜在308nm准分子激光下的剥离效果,采用实验研究的方法,分别探究了激光能量密度、光斑重叠率、脉冲频率、衬底......
正交双波长双脉冲的激光剥离—激光诱导击穿光谱技术能够在较少样品烧蚀的前提下获得高的光谱分析灵敏度，因此该技术可以从根本上解......
