Casimir效应是由边界的存在引起的真空零点能变化产生的宏观量子现象。随着近年来纳米技术的发展,这种由量子真空起伏效应而产生的力对系统的影响愈发明显,而其重要的潜在实际应用如致动器也引起广泛兴趣。最近,一些具有奇异电磁特性的特异材料,包括左手性材料以及单负材料近来被实验构造合成。特异材料的介电常数、磁导率在某些频段上同时为负或其中一个为负,但仍满足Maxwell方程,进而引发了人们对这些新型材料的关注,更多可能的特殊应用也被提出。实际的特异材料都是色散的,其色散关系中的特征频率参量取值影响着材料的电磁性质以及反射特性,所以特异材料的Casimir作用力强弱和方向也将受到影响。本论文对于包含特异材料的真空中平面结构,研究了其Casimir效应的强弱调制以及吸引作用与排斥作用的产生与转化,具体的研究工作如下:将介质材料板间Casimir作用力的计算拓展到涉及特异材料的情况。通过考察分析复频率空间内的含特异材料的介质平面板间Casimir力被积函数的解析性质,根据实际的介质平板间Casimir作用力的计算理论,推导得到包含特异材料的平面板间Casimir作用力的计算公式。研究了左手性材料介质板间的Casimir吸引效应。因果律要求左手性材料必须是色散的,即材料在一段频带上具有负的折射率。对于左手性材料中由Drude-Lorentz型色散关系描述的介电常数和磁导率,色散曲线中负值频带的曲线结构由等离子体频率、共振频率和阻尼系数等各色散吸收参数所决定,其负值频带宽度和深度等性质对应着介质材料板的反射特性,进而对两板间的Casimir效应强弱起着重要的作用。在以不同因素影响反射特性的角度来解释Casimir效应强弱的同时,可以将左手性材料介质的折射率色散曲线的负值区域结构特点与Casimir效应联系起来,即折射率负值区域的宽度与深度越大所对应的是Casimir效应越强。而当材料的介电常数色散的负值区域与磁导率色散的负值区域逐渐错开时,不易仅仅单纯把负折射率频带区域的结构与介质板间Casimir效应相联系,而要考虑到左手性材料到单负材料的转变和禁带的影响。对左手性材料的板间Casimir效应与正常材料板间Casimir效应做出了比较研究。相对于正常材料的板间Casimir效应,具有足够宽的负折射频带的左手性材料其板间Casimir效应会更强。在涉及特异材料的情况下,研究了Casimir排斥效应的产生。随着实验技术的发展,Casimir吸引作用对微机械系统器件及设备产生限制,因而对Casimir排斥效应的研究愈发引起人们的注意。排斥的Casimir作用力只可能出现在两不同平板的情况中,而通过考察正常材料与特异材料介质的不同组合情况,我们发现板间媒质阻抗的值介于两板的阻抗之间且两板阻抗比与板间媒质的差异越大,Casimir排斥力越容易产生。进而可调节特异材料的色散参数以得到排斥的Casimir作用力。对Casimir作用力的方向随板间距的变化进行了研究,而且着重考察了一种排斥力与吸引力的转化情况即Casimir平衡回复力的产生。在讨论含特异材料的板间Casimir效应的长距和短距近似之后,我们研究了由特异材料板组成的平板结构中,在两板间距改变时Casimir力方向的变化。一般来讲,在短距下Casimir力为吸引力,随着板间距逐渐增大,Casimir吸引力可以在达到某一板间距时变成排斥力。而若将其中一个材料板取为理想导体板,Casimir效应则可表现为随板间距的增大从排斥力转变为吸引力即平衡回复力,这种力可用来产生板间振荡或稳定真空中的力学系统。