由于纳米技术的发展,目前已经制备一系列可能用于微电子器件中的纳米材料。器件的小型化,薄膜的尺寸已经进入到十几个纳米范围,当这些纳米量级的结构处于一定的外界环境中(温度、压力和外界环境施与的作用)的稳定性和结构变化将直接影响着该材料的性能。本文用分子动力学方法对铜纳米系统在动态加载过程中的结构及力学行为进行了计算机模拟。本文在300K下分别以±8.0×108s-1(+代表了拉伸过程,–代表了压缩过程)的应变速度沿着Z轴对铜纳米带进行均匀的动态加载。模拟结果显示,在拉伸和压缩的动态加载过程中铜纳米带的结构(表面原子的面取向)均出现了变化,但是两种结构的最终转变结果是不同的。在拉伸过程中,铜纳米带整体的表面面取向均出现了变化,由原来的以〈100〉为轴、{100}为侧面的结构变成了一个新的以〈112〉为轴,四个侧面分别变成了两个{110}和两个{111}的结构。而在压缩过程中,位错由于某种原因受到了限制,铜纳米带的表面面取向只发生了部分转变,四个侧面由原来的{100}部分的变成了{111}。通过对这种铜纳米带面取向的变化进行了仔细的研究,我们发现在动态加载过程中铜纳米带出现的这种面取向的转变是由位错的运动和传播所导致的。而在拉伸过程和压缩加载过程中的不同的结构变化结构是由于位错成核后在(1 1? 1?)面上沿着不同的<112>方向运动所造成的。在了解了这种面取向转变的机理之后,我们便对第一个位错成核和传播的驱动力进行了分析。我们还对应的对动态加载过程中纳米系统的应力,势能,动能随应变的变化情况进行了分析。此外,我们还研究了温度、应变速度、尺寸这些模拟条件对模拟结果的影响。