LTCC采用多层叠烧工艺,实现复杂电路与无源器件的高密度封装,为无源器件的小型化与高集成化提供了新的解决途径,在国防、通信等领域发挥重要作用。作为功能电路的承载结构,LTCC基板起到结构支撑与电学屏蔽的双重作用,是LTCC技术发展的关键。本文选择有良好发展潜力的Ca O-B2O3-La2O3（CBL）玻璃/Al2O3体系为研究对象,研究了玻璃成分、玻璃粒度、玻璃/Al2O3比例、烧结制度对玻璃/Al2O3复相材料烧结析晶行为和性能的影响,为LTCC基板材料的力学性能和介电性能调控提供了一定的参考。引入P2O5可以改变CBL玻璃的结构与烧结析晶行为。适量的P2O5可以延缓CBL玻璃析晶,引入新相La PO4。Ca O-B2O3-La2O3-P2O5（CBLP）玻璃/Al2O3复相材料中均匀分散的Al2O3颗粒和两相过渡区生成的板条状晶相Ca Al2B2O7可以有效提高力学性能;引入少量P2O5可以降低CBL玻璃/Al2O3复相材料的孔隙率,改善微观结构,有效提高抗折强度。但低孔隙率会导致介电常数提高,低La BO3比例会导致介电损耗升高;引入P2O5量过多会导致材料介电损耗升高,抗折强度降低。P2O5含量为6 mol%时样品拥有最好的综合性能:抗折强度达222.6 MPa,20 GHz下εr=6.521、tanδ=0.789×10-3,40 GHz下εr=6.559、tanδ=0.917×10-3,CTE=5.402×10-6/℃,同银导体材料共烧未发生银扩散,匹配性良好。引入SiO2和碱金属氧化物可以影响CBLP/Al2O3复相材料的性能。SiO2可以完善CBLP玻璃网络结构,改变析出晶相,抑制玻璃析晶。SiO2的引入使复相材料中残余玻璃相增加,Ca Al2B2O7析出减少,导致介电常数和介电损耗上升,抗折强度下降;由于析出了高热膨胀系数的方石英相,材料热膨胀系数显著提高。Na2O、Li2O会增强析晶趋势,促进复相材料晶相析出,使介电常数与介电损耗降低,Na2O含量为2 mol%时有最好的介电性能,20 GHz下εr=6.354、tanδ=0.613×10-3,40 GHz下εr=6.379、tanδ=0.785×10-3。玻璃粉料粒度分布集中有利于致密化烧结。优化玻璃粒径分布可以提高密度,得到较好的力学与介电性能。提高复相材料中玻璃比例可以降低孔隙率,显著提高抗折强度,玻璃含量为50 wt.%时抗折强度为253.4 MPa;提高Al2O3比例可以降低介电损耗,Al2O3含量为60 wt.%时介电损耗为0.622×10-3。升温速率过大会导致复相材料介电常数与介电损耗提高;选择合适的烧结温度可以有效改善材料的介电性能,提高烧结温度可使SiO2含量为6 mol%的复相材料介电常数降低10.2%、介电损耗降低41.2%。