为了获得具有低热膨胀系数和低介电常数的电子封装用聚酰亚胺（PI）基复合材料,通过原位复合法将硅烷偶联剂KH570改性的Zr₂WP₂O₁₂（ZWP）颗粒添加到PI基质中,研究了表面处理对复合材料的形貌,热膨胀性能和介电性能的影响。用X射线衍射仪（XRD）,傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）和接触角测量仪研究了改性后的ZWP（m-ZWP）的反应过程和作用机理。用扫描电子显微镜（SEM）,膨胀计和阻抗分析仪表征了偶联剂改性前后的ZWP/PI复合材料的微观形貌和性能,并对一下研究结果进行了分析:1、水热法制备的ZWP样品在RT-400℃的负膨胀曲线,计算出其平均线性膨胀系数为-5.01×10^-6/K,用固相烧结法制备的ZWP样品的膨胀系数在RT-400℃范围内的膨胀系数为-2.2×10^-6/K。用变温XRD测试的样品数据显示,在30-300℃温度区间内计算出体膨胀系数α_v=-4.6946×10^-6/K。水热法制备的ZWP样品比固相烧结法制备的样品的负膨胀系数更大,同时水热法制备的ZWP的负膨胀系数更接近本征膨胀系数。在复合实验中,ZWP的负膨胀系数越大就能够使PI的热膨胀系数降低越多,更有利于应用到微电子行业。2、在没有用偶联剂之前,ZWP粉末是亲水性的,会直接溶入水中;加入偶联剂后,偶联剂水解的硅醇与ZWP表面的吸附水反应形成氢键,偶联剂另外一端的亲有机官能团是亲油性的,与水接触时会漂浮在水面。接触角测试结果表明,当硅烷偶联剂KH570的添加量为0.5 wt.%时,改性后的ZWP样品的分散性得到改善,接触角增大从2.46°增加到134.39°。3、傅里叶红外测试结果显示出,KH570的特征峰（C=O,C=C和-CH₃）出现在m-ZWP样品的傅里叶红外曲线上,分别为1716 cm^-1、2840 cm^-1和2940cm^-1,这证实了表面改性是成功的。ZWP颗粒表面存在的吸附水为硅烷偶联剂改性提供了羟基,和偶联剂水解后的硅醇发生缔合反应,脱去一个水分子形成氢键结合。4、经过偶联剂改性后的样品的热膨胀数据表明,偶联剂有效地降低了复合材料ZWP/PI的热膨胀性能。KH570对于复合材料的改性效果最优异,当硅烷偶联剂KH570的添加量为0.5 wt.%,改性后的ZWP/PI复合材料的样品在RT-300°C范围内的膨胀系数为28.47×10^-6/K,比同组实验的对照样品纯PI(56.99×10^-6/K)低50.04%。5、阻抗分析仪的测试结果表明,不同比例的KH570可以有效调节PI的介电性能。PI的介电常数?_PI=3.28,硅烷偶联剂KH570的添加量为0.25 wt.%的样品的介电常数为2.5,PI的介电常数降低了。相比与生产的覆铜箔板的介电常数约2.7更小,更小的介电常数可以使得电信号的传播速度更快。