【摘 要】
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电力电子行业的迅猛发展，一些嵌入式元器件的制备需要应用高介材料，以此来满足集成电路的小型化和高性能化的发展需要，而目前单一的无机和有机材料满足不了综合性能的需求。本文在聚酰亚胺基体中填加高介电陶瓷，来获得聚合物-陶瓷型复合材料，从而提高复合材料的介电常数。本文首先以硝酸盐为原料，采用溶胶-凝胶法和二次烧结工艺，成功制得钛酸铜钙(CCTO)及Zr掺杂后的CCTZO陶瓷；其次，采用二步合成的方法制备聚
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电力电子行业的迅猛发展，一些嵌入式元器件的制备需要应用高介材料，以此来满足集成电路的小型化和高性能化的发展需要，而目前单一的无机和有机材料满足不了综合性能的需求。本文在聚酰亚胺基体中填加高介电陶瓷，来获得聚合物-陶瓷型复合材料，从而提高复合材料的介电常数。本文首先以硝酸盐为原料，采用溶胶-凝胶法和二次烧结工艺，成功制得钛酸铜钙(CCTO)及Zr掺杂后的CCTZO陶瓷；其次，采用二步合成的方法制备聚酰亚胺(PI)薄膜，通过热失重分析(TGA)确定热亚胺化升温节点；再次，以制得的CCT(Z)O陶
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