MOS管和双极型晶体管都具有温度传感的性质,后者相比之下具有更好的性能,并在实际中已有广泛的应用。现今,CMOS工艺已成为主导工艺,为了允许在同块芯片上进行信号调节和处理,许多设计从双极型转向CMOS型。由于CMOS温度传感器的部分性能仍不及双极型温度传感器,如容易受到温漂、管子不匹配的影响等,因此设计出一种具有高性能、低功耗、低成本的CMOS集成温度传感器已成为温度传感领域的一个重要课题。本文先设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器,并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路,以保证电路工作点正常与性能优良。该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真,仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB,在-50℃～150℃温度范围内,电压温度系数可以达到2.9mV/K,线性度良好。而后在原集成温度传感器电路研究成果的基础上,设计了一种用于CMOS集成温度传感器二次非线性项修正的曲率校正电路,该电路有效解决了CMOS温度传感电路中电阻温度系数和PN结电压二次非线性项对输出线性度的影响。应用了该校正电路的CMOS温度传感系统已在0.6μm标准CMOS工艺中研制实现,实验结果表明在-50℃～+150℃的温度范围内该温度传感系统的最大误差小于1.5℃。该研究的成果可用于一些高精度的应用场所,比如冷暖空调、医疗仪器,自检测系统等诸多领域中,具有显著的研究意义和广泛的应用前景。