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以硼酸镁晶须和硼酸铝晶须为代表的硼酸盐晶须以其性能优越而被广泛的应用于航空、航天及国防等高科技领域,且价格低廉,显示出了巨大的应用前景。但目前硼酸盐晶须制备工艺存在着许多的不足,使其至今未实现工业化生产。因此开发新的硼酸盐晶须制备方法,推动硼酸盐晶须的广泛应用已显得迫在眉睫。本文首先研究了高温熔盐法制备硼酸镁晶须,利用XRD和SEM等分析手段考查了烧结温度、烧结时间、n(B)/n(Mg)、助熔剂等影响因素,并对其生长机理进行了分析探讨。结果表明,最佳制备工艺条件为：烧结温度为900℃,烧结时间为8.0h, n(B)/n(Mg)=1.2, n(NaCl)/{n(Mg)+n(B)}=3.0。在此条件下制备出了长度为100-250μm,直径为5-10μm,长径比大于10的硼酸镁晶须。针对高温熔盐法烧结温度高、时间长,产生腐蚀性气体等问题,采用草酸盐前驱体法制备硼酸镁晶须,利用XRD、SEM、TG-DTA及FT-IR等分析手段考查了烧结温度、烧结时间、n(B)/n(Mg)、n(H2C2O4)/n(Mg)等影响因素,并对其生长过程进行了分析探讨。结果表明,最佳制备工艺条件为：烧结温度为800℃,烧结时间为4.0h, n(B)/n(Mg)=1.2, n(H2C2O4)/n(Mg)=1.2。在此条件下制备出了纯度较好,长度为4-8μm,直径为0.6-1.5μm,长径比约为10的硼酸镁晶须。此方法的烧结温度降低了100℃,烧结时间缩短了4.0h,有效的减少了腐蚀性气体的产生。此外,研究了草酸盐前驱体法制备硼酸铝晶须,利用XRD、SEM、TG-DTA及FT-IR等分析手段考查了烧结温度、烧结时间、n(B)/n(Al)、n(H2C2O4)/n(Al)等影响因素,并对其生长机理进行了分析探讨。结果表明：烧结温度为850℃,烧结时间为4.0h, n(B)/n(Al)=0.75, n(H2C2O4)/n(Al)=2.0为最佳制备工艺条件。在此条件下制备出了长度为250-400nm,直径50-80nm,长径比约为6的纳米硼酸铝晶须。以制备的硼酸镁晶须和硼酸铝晶须作为填料,以酚醛树脂和聚乙烯为基体,制备硼酸盐晶须／高分子复合材料并研究其中子屏蔽性能,考查了晶须添加量、基体材料、厚度等影响因素。结果表明：硼酸镁晶须和硼酸铝晶须对复合材料的热中子屏蔽性能具有较好的增强作用,硼酸镁晶须的增强作用要优于硼酸铝晶须,当硼酸镁晶须和硼酸铝晶须的添加份数分别为60时,复合材料的热中子屏蔽率可达到72.7%和68.9%。