金属纳米结构中的局域表面等离激元共振具有独特的光学特性。合理地控制纳米结构的结构参数或者激发条件可以使表面等离激元共振的不同模式(明态和暗态)之间发生相消干涉,从而产生法诺共振效应。表面等离激元体系中的法诺共振可以非常有效地抑制辐射损耗。但是,金属材质本身具有较大的非辐射损耗(例如欧姆损耗)限制了其相关应用性能的进一步提高。此外,一般情况下表面等离激元体系中产生法诺共振需要破坏对称性,体系结构复杂,不易制备,同时也会造成光学响应依赖入射场偏振方向。故如何克服金属纳米结构非辐射损耗的影响,并采用简单的结构产生与偏振无关的法诺共振效应,是提高相关器件性能亟需研究的内容。我们通过研究发现,用高折射率电介质材料替代金属可以很有效地解决上述问题。通过调整电介质纳米颗粒的结构参数,可以激发起多个暗态,因此能够产生法诺共振甚至多重法诺共振效应。另外,电介质材质本身固有的非辐射损耗很低,因此在其中产生的法诺共振不仅可以抑制辐射损耗,还能非常有效地抑制非辐射损耗。研究表明,单个硅纳米盘中的亚辐射模式EH12δ的激发导致强法诺共振效应的产生。通过调节纳米盘的半径可以激发高阶亚辐射模式(EH13δ和EH14δ),从而产生多重法诺共振效应。值得注意的是,在其中产生的法诺共振不依赖于延迟效应,即使在非常薄的纳米盘中一样也能产生具有很强调制深度的法诺共振效应。此外,在电介质材质的三角形、正方形和长方形纳米盘等结构中都可以产生类似效应。结构的简单和高度对称性使得这些电介质纳米颗粒在生物传感和光电子学领域中有非常重要的应用。