【摘 要】
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本论文主要是应用计算机模拟对同质InGaAs光伏型红外探测器的材料参数和器件结构进行了系统的分析。其中,我们着重分析和研究探测器的性能参数与半导体材料参数之间的关系。
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本论文主要是应用计算机模拟对同质InGaAs光伏型红外探测器的材料参数和器件结构进行了系统的分析。其中,我们着重分析和研究探测器的性能参数与半导体材料参数之间的关系。标定探测器性能优劣的最重要参数是探测度,而R0A和量子效率是影响探测度的重要参数,我们将通过对材料参数的分析,一方面尽可能的抑制各种噪声机制,以减小噪声对器件性能的影响,从而提高R0A;另一方面是提高量子效率。进而提高探测度,找到对于同质InGaAs光伏型红外探测器最优的各种材料参数,以此给我们的实验工作者一个很好的指导方向,大大减少实验的次数,提高实验的工作效率。
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