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薄膜晶体管(Thin Film Transistor简称TFT)在平板显示技术中有重要应用，是实现高分辨平板显示器件的关键。本论文以研制出具有实用特性的TFT为目标，从掌握TFT制备技术及工艺出发，结合现有的实验条件，在TFT的设计、工艺、测试方面开展了工作。论文在简单介绍了薄膜晶体管的工作原理和基本结构后，选择底栅结构的非晶硅TFT器件开展工作。首先，对TFT结构各层薄膜材料进行选择和制备。TFT金属电极薄膜材料选择Cr和Al。用磁控溅射法制备Cr薄膜，获得方块电阻为12.5～25 Ω/□的薄膜；用真空蒸发法制备Al薄膜，可获得方块电阻为0.4～0.45Ω/□的薄膜。TFT绝缘层材料选择SiO<,2>和SiN<,X>。用PECVD方法制备，SiO<,2>绝缘层的耐压达到7 MV/cm左右，SiN<,X>绝缘层的耐压达到5 MV/cm。TFT有源层材料选择a-Si，用PECVD方法同样可以获得有源层的a-Si薄膜和欧姆接触层n<+>a-Si薄膜，有源层a-Si薄膜暗电导率小于10<-7>～10<-8>/Ω·cm，欧姆接触层n<+>a-Si薄膜暗电导率为10<-3>/Ω·cm。上述各层薄膜的厚度，通过台阶仪法来进行检测。其次，设计TFT的结构参数，结果是：宽长比W/L是9，欧姆接触层厚度是30 nm，有源层厚度是150 nm，绝缘层是300 nm，栅电极层厚度是100 nm，上电极层厚度是250 nm。设计掩模版，它们包括TFT阵列、单个TFT、测试电极、测试电容等，掩模版大小为2英寸。最后，按照底栅结构的非晶硅TFT工艺的流程，制备出TFT器件。并对其进行了电学特性测试，测试结果如下：所制备的TFT器件样品，a-Si导电沟道的电子迁移率达到0.2 cm<2>V·s，驱动电压小于15 V，TFT器件的开关电流比达到10<4>左右(为V<,d>=15 V，V<,g>=30 V时)，器件具有实现晶体管的开关特性。