作为射频领域的研究热点,功率器件LDMOS具有高耐压、好的热稳性、以及便于和普通MOS工艺集成等方面的优点。在器件小型化趋势下,LDMOS常常引入应变技术来提升性能,其中CESL应变技术由于工艺简单而常被使用。通常为了在沟道引入增强电子迁移率的张应力,NLDMOS表面会淀积一层张应变CESL,但这会在漂移区引入抑制电子迁移率的压应力。有研究通过在栅极区和漂移区分别选择性地淀积张应变和压应变CESL来解决这个问题,但这样会使相关的工艺复杂化。有鉴于此,我们提出了一种基于槽型结构的NLDMOS器件,同时选择压应变CESL作为应力源。槽型结构会调制器件应力分布,在沟道和漂移区同时实现张应力,从而有效提升器件性能。首先我们利用Sentaurus仿真软件研究了槽型结构对NLDMOS沟道和漂移区应力分布的影响。计算结果表明,在常规器件中,漂移区为张应力但沟道区却被引入了压应力。而在单槽器件中,由于槽型结构的应力调制作用,沟道应力由压应力转变为张应力,同时漂移区的张应力也得到了增强。我们还研究了槽型结构对沟道和漂移区应力的调制机理,并以之为基础进行了结构优化,发现器件对槽型结构的深宽比没有特殊要求。这说明槽型结构有较好的工艺可实现性。最后我们研究了基于槽型应变调制结构的NLDMOS器件的电学特性,并以覆盖压应变CESL的常规NLDMOS以及无应力NLDMOS两种器件作为对比。计算结果表明,覆盖压应变CESL的常规NLDMOS具有最低的输出电流和最大跨导。这意味着,尽管其电子迁移率在张应变漂移区有所提高,但迁移率在其压应变沟道中的降低却降低了其电性能。而单槽应变NLDMOS的输出电流比覆盖压应变CESL的常规NLDMOS大20%以上,其最大跨导比覆盖压应变CESL的常规NLDMOS大15%以上。同时,单槽应变NLDMOS的输出电流比无应力器件大11%以上,其最大跨导比无应力器件大10%。这证实了槽型结构对LDMOS器件的提升效果。