论文部分内容阅读
本文利用含时Ginzburg-Landau方程系统的模拟了二维、三维和受限情况下的聚乙烯单晶生长情况。具体研究了单晶的结晶形态，表面能和过渡层厚度的温度依赖性，结晶温度或过冷度对晶片厚度的影响，以及提出在受限情况下过渡层厚度的分段函数表达方法。在二维情况下，首先研究了在大空间步长情况下结晶的形态，然后研究了小空间步长的情况，以及单核、双核结晶的形态，初值为圆形或正方形对后续结晶是否有影响等几个方面。在三维情况下，把表面能以及过渡层厚度与温度依赖关系带入含时Ginzburg-Landau方程，对晶片厚度的解进行修正，对模拟结果和试验中得到的过冷度与晶片厚度的关系进行了比较，得到了满意的定性结果。在受限情况下，提出过渡层厚度由于空间阻碍可以写成分段函数表达形式，并根据这个构想得到了不同温度下的模拟结果，并把此结果与非受限情况作了比较。