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近年来,透明导电薄膜己成为液晶显示、触控面板、太阳能电池等的关键性材料之一,越来越受到人们的重视。且随着LCD的商品化、彩色化、大型化和提高太阳能电池能量转换效率的要求,对透明导电薄膜的要求也越来越高,需满足如下条件：电阻率低；透过率高；镀膜温度更接近室温；热稳定性优良；耐热性和耐碱性优良；硬度高；表面形状良好；与基底的附着性良好；能大面积均匀地镀膜；价格较低等。研究发现,掺铝氧化锌(AZO)薄膜具有同ITO薄膜可比拟的光电特性,且在等离子体中化学稳定性较好、氧化锌和铝材料来源丰富、价格低廉、几乎无毒性,逐渐成为化合物半导体材料中一个新的研究热点,呈现取代ITO薄膜的趋势,开始逐步应用到众多领域中。本论文采用常温固相烧结法,自制不同A1掺杂浓度的AZO陶瓷靶材；采用射频磁控溅射法,通过改变沉积工艺参数,制备不同性能的AZO薄膜样品；研究分析了不同参数对AZO薄膜结构和性能的影响,提出最佳工艺条件。结论如下：1)不同工艺条件下均得到了呈现较强(002)衍射峰的AZO薄膜；溅射功率为150 W以下时,随着功率的提高,薄膜的结晶性越来越好,电阻率呈下降趋势；随着工作压强的降低,(002)衍射峰越来越强,电阻率越来越小,0.4 Pa时结晶效果最佳；随着薄膜厚度的增加,电阻率逐渐减小,可见光区透过率有所下降。2)基底为室温时所得AZO薄膜的结晶性良好,导电性和透光性也较佳；随着基底温度的提高,薄膜晶粒变大,结晶程度有所提高；电阻率较大幅度下降。3)不同Al掺杂浓度的AZO薄膜均呈六方纤锌矿结构,且随着Al浓度的提高,薄膜的导电性有所下降,2at%掺杂浓度的AZO样品效果最好。4)在空气中,不同温度、不同时间退火后,AZO样品的结晶性和导电性并未提高,但可见光区透过率有所增加。