传统的电子元件,比如二极管和三极管,它们的信息载体都是电子电荷,电子的自旋没有被利用。近些年来,半导体自旋电子学（spintronics）的研究表明,稀磁半导体（DMS）能够同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的处理和存储。但目前的关键问题是自旋极化电子注入到半导体材料中的效率很低,这就需要寻找高自旋极化度的磁性材料。半金属（half-metallic）铁磁体有着较高的居里温度和接近100%的高自旋极化率,因此,它无疑将会成为理想的半导体自旋电子注入源。随着科学技术的发展,计算机的性能得到了极大的提高,使得通过计算机模拟设计新型功能材料成为可能。本文的目的是借助计算机模拟预测新的半金属铁磁体。我们的工作是利用基于密度泛函理论（DFT）的平面波赝势方法（PWPP）系统地对二元化合物CrS和CrP及闪锌矿（zincblende）相半导体CdTe掺杂过渡金属（V、Cr及Mn等）的电子结构和磁性进行研究。对于二元化合物CrS , 我们的计算发现zincblende 相的CrS 的自旋向上（majority-spin）的电子的能带是金属性的,而自旋向下（minority-spin）电子的能带在费米（Fermi）面附近有一个明显的能隙（Energy gap）。这个特性在原胞的晶格常数变化的-3%-20%范围内保持不变。并且,一个CrS分子的磁矩是4.000 μB。所以,我们从理论上预言了zincblende相的CrS是一个比较稳定的半金属铁磁体;而CrP的计算表明,zincblende相的CrP虽然也具有半金属铁磁性,但其半金属铁磁性在晶格常数变小时就消失了,所以,zincblende相的CrP只能算得上一个准半金属铁磁体。Zincblende相半导体CdTe掺杂过渡金属V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等的电子结构和磁性的计算表明,只有Cd_0.5V_0.5Te和Cd_0.5Cr_0.5Te具有半金属铁磁性,每个原胞的磁矩分别为3.000μB和4.000μB。它们的半金属铁磁性主要由d-d交换作用和p-d杂化作用决定。