磁控溅射法AlN/ZnO薄膜的制备及其表征

被引量 : 2次 | 上传用户：jizhidong2009

【摘要】

：

氮化铝(A1N)薄膜是一种重要的Ⅲ-V族半导体,在光学,电学和半导体领域具有很大应用潜能.氮化铝薄膜具有许多突出的物理化学性能,如宽的直接带隙,大的击穿场强,高的热导率,良好的化学稳定性,高表面声波速度,高熔点,低的热膨胀系数等.这些性质使它成为微电子学和光学领域内光电器件的绝缘层和缓冲层的最佳材料.所以,研究氮化铝薄膜的制备,性能,生长机理及应用都具有重要的意义.A1N和ZnO具有相同的六方纤锌

【作者】

：

徐立铭

【机构】

：

延边大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

氮化铝氧化锌扫描电子显微镜拉曼散射 X-射线衍射

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