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作为最基本的直流变换技术之一,Boost升压电路因具有功率开关器件容易控制、谐波失真小等优点,被广泛应用于光伏电站、大功率直流输电技术以及新能源发电等场合。与Si器件相比,宽禁带半导体SiC器件具有良好的高温、高频、大功率特性,应用在电路中,能够提高其性能,这就为研究直流升压技术提供了新的发展方向。本文在分析Boost升压电路工作模式的基础上,将SiC MOSFET应用在Boost升压电路中,并对主电路及驱动电路进行设计、仿真和实验。主要研究了 SiC MOSFET的Boost升压电路的性能,分析了开关损耗和电路的转换效率随工作频率及负载变化的情况。取得的主要成果如下:1、分析了 Boost升压电路的工作原理及工作模式。对Boost升压电路的电路结构、原理及三种工作状态进行分析,确定电流连续的工作模式。2、对适用于SiCMOSFET的驱动电路进行设计,并采用Pspice仿真进行验证。在比较SiC MOSFET和Si MOSFET基本特性的基础上,分析SiC MOSFET驱动电路的设计要点。然后对驱动电路进行全面设计及Pspice软件仿真。结果证明了该驱动电路设计的合理和可靠性。3、完成了 Boost升压电路主电路参数的设计与与仿真分析。首先,采Pspice软件对Boost升压电路的暂态和稳态过程分别进行仿真,暂态过程非常短暂,只有2.5ms,然后达到稳态。再对有、无缓冲电路的Boost进行仿真,说明了缓冲电路对整个电路的重要性。4、完成了驱动电路及由SiC MOSFET和SiC SBD构成的Boost升压电路的实验。搭建实验平台,工作频率在100kHz时,比较了驱动电阻为2 Ω及5 Ω电路的性能。然后分析了使用SiC MOSFET和Si MOSFET电路性能的不同。实验结果证明,SiC MOSFET的开关损耗更小,开关速度更快。相比Si MOSFET,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。当开关频率分别为100kHz、150kHz以及200kHz时,随着频率的升高,开关损耗随之增加,变换器的效率则随之降低,但都在90%以上。当负载从1kΩ变到300Ω,输出电压随着负载的减小而降低,电源效率升高。本论文基于SiC MOSFET的Boost升压电路,为进一步研究SiC MOSFET的应用提供了参考。