随着IC技术朝着高集成化、小型化的方向发展,芯片功率不断增加和封装体积不断减小导致电子元件的功耗和发热迅速增加,使得IC散热问题成为了阻碍电子技术继续向前发展的一个至关重要的问题;另外,随着IC内部工作频率越来越高,由此带来的IC电磁兼容性问题也不容忽视。随之而来的IC可靠性问题直接影响着电子整机的工作性能。因此,在电子整机产品的设计和开发中,十分注重IC的可靠性研究,而正确、有效的IC热、磁场特性分析技术能较大程度上提高IC的可靠性,从而提高整机产品的竞争力。本文基于这一思想,结合国防基础科研项目——通信整机快速三维布线技术及其工程化,对IC的热、磁场特性分析技术进行了全面、深入的研究。　　基于IC热特性分析机理,对IC的热特性分析技术进行了详细的研究。所作的主要工作:1、针对传统热分析方法的局限性,现代试验设计中的正交试验以及表面响应法与传统的热仿真相结合提出了IC可靠性热优化设计技术,从而成为IC热特性分析及热优化设计的有力工具。2、以QFP封装器件为分析对象,利用有限元仿真技术初步分析了QFP器件主要结构组成部分的温度分布,得出了不同外界冷却条件和不同封装参数对芯片结温(最高温度)的影响和影响QFP器件热性能的一些主要因素。3、针对QFP的不同的封装参数,建立了正交试验表,进行了不同参数组合下的热仿真,并对仿真结果进行了简单的分析。4、基于正交试验表的仿真结果,采用表面响应法对QFP进行封装参数的优化设计,得出预测芯片结温的响应回归方程,并评价了回归方程的精确度。最后分析了各封装参量对芯片结温的影响,从而获得理想的设计参数及最优化的热性能。该方法具有一定的普遍性,可应用于其他类型的封装器件。　　基于IC磁场特性分析机理,对IC的磁场特性分析技术也进行了详细的研究。所作的主要工作:1、基于IEC62014-3标准,对标准中的IC电磁干扰等效电路模型进行了改善,提出了IC电磁干扰预测的电路仿真方法。2、为了验证该方法的有效性,我们选取QFP器件为分析对象,对其进行电磁干扰预测,并将仿真值与测量值进行了比较。3、初步分析了激励信号参数对IC电磁干扰的影响。