第三代半导体材料为半导体产业做出了不可估量的贡献,而其中GaN基材料则承担了主要角色,无论是纯粹的AlN、GaN、InN还是由它们掺杂而成的合金材料皆属于GaN基材料,其发光范围可从紫外波段的200nm到红外波段1770 nm,禁带宽度则是在0.7e V～6.2e V之间连续可调,GaN基材料现在已经广泛应用在照明、光通信、光电探测以及功率器件等诸多领域。作为第三代半导体材料典型代表的GaN,由于其具有优异性能的光电特性,尤其是在发光二极管、激光器方面的应用受到了人们的广泛关注。近年来紫外光的应用不断得到拓展,在净化、杀菌、消毒、防伪检测、医疗诊断等方面具有巨大的市场价值。相较于汞灯,GaN紫外μ-LED发光波段更加窄,避免了光能浪费的现象,并且具有无毒无害,寿命长等优势。因此,近紫外波段的GaN基光电器件的研究成为了半导体材料研究的热点。本文主要介绍了近紫外波段硅基GaN基微发光二极管的制备工艺过程和信号传输特性测试分析。利用商用的硅基GaN基外延片通过微纳加工工艺设计并制备了圆盘状微腔的紫外微发光二极管,利用光学显微镜以及扫描电子显微镜对器件进行了形貌表征。器件最终制备成功后,利用电致发光光谱测试系统、3d B带宽测试系统、眼图测试系统以及半导体参数仪等仪器对器件进行了测试并进行分析,电致发光光谱测试系统测试结果显示器件具有不错的发光特性,在10m A的注入电流下,其峰值波长中心为398 nm,半高宽为10.2 nm,3d B带宽和眼图等信号传输测试系统则表明器件的信号传输质量良好,噪声容限大,信号失真小,具有不错的信号传输特性。我们设计并制备的硅衬底GaN基紫外μ-LED在具有不错的发光特性和信号传输特性下,证明其在照明、信号传输等领域都具有广阔的应用前景。