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太阳能电池是光伏发电技术的核心,光电转换效率是表征太阳能电池性能的关键参数。高掺杂浓度的p+层是晶硅太阳能电池的基本结构之一,其主要作用是增加电池背面的势垒高度,实现对载流子空穴的收集。目前P+层一般由背面电极高温烧结的扩散过程制得,但难以实现高掺杂浓度且厚度很薄的重掺层的制作,这会限制电池转换效率的提高。本文通过反应磁控溅射法在太阳能电池背表面制作一种具有高的功函数特性的氮化钒(VN)薄膜,以取代掺杂过程,实现对载流子空穴的收集,由电池的开路电压VOC表征氮化钒薄膜的作用效果。本研究工作以钒为靶材