近年来，发光二极管发展迅速，但是AlGaInP LEDs低下的外量子效率严重制约了其在半导体照明领域里的广泛发展，本文主要针对如何提高红光LED的发光效率进行了研究。通过对磷化镓基LED的表面粗化，改变了那些满足光全反射定律的光传播方向，使光发射到另一表面或反射回到原表面时，光不会发生全反射进而透过界面，这样就提高了LED的出光效率。本文利用了湿法腐蚀和干法腐蚀，对红光LED外延片进行了表面粗化。湿法腐蚀分别利用熔融态的KOH和KOH-乙二醇溶液对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。干法利用了ICP对外延片进行了刻蚀处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响，并利用原子力显微镜（AFM）、半导体芯片自动测试系统对LED器件的相关性能（形貌、I-V特性曲线、亮度和主波长）进行了表征。比较了粗化前后的LED亮度和电流特性变化。测试结果表明：利用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行表面粗化，可以有效地抑制了光在通过LED表面与空气接触界面时产生的全反射，得到性能更好的器件。实验结果显示，利用熔融态KOH，在粗化温度为200℃，粗化时间为8min时，能使制作的红光LED外延片发光效率提高32.7%；利用KOH-乙二醇溶液，在粗化温度为200℃，粗化时间为12min时，制作的器件发光效率提升了35%；利用ICP刻蚀外延片，研究了刻蚀坑的尺寸和发光强度的关系，刻蚀坑为1.5μ m时，器件的发光强度提高28%。