为了解决超大规模集成电路(ULSI)集成度的提高所带来的阻抗延迟和功率损耗问题，ULSI需要采用低介电常数材料来作为互连介质。根据电介质理论和目前低介电常数材料的研究可知，对于玻璃材料及其制品，无论是改变极化度还是密度，通过调整玻璃成分以达到工艺和性能的兼顾是主要途径之一。　　 本研究首先对国外生产的一种低介电高频玻璃绝缘子进行分析，可知该玻璃是一种孔径在5-20μm之间的硼硅酸盐多孔玻璃，体系中Sio2含量很高，并含有少量的Al2o3晶体。它的制备与石英玻璃不同，不需要很高的熔炼温度，因此更容易制备，更具有可操作性，将是今后研究的一个重要方向。　　 本研究首先在传统的硼硅酸盐封接玻璃DM305基础上，研究了硼硅酸盐玻璃的组成和介电常数以及润湿性能之间的关系，从而优选出最佳组成为DM30580％、Sio215％、Al2o35％；然后在其中加入0.5wt％粒径为5μm的石墨粉作成孔剂，通过控制其烧结过程的升温速率和温度，可以获得气孔形状为球形，分布均匀，多为闭孔结构的多孔材料，其介电常数为3.03(10MHz)，1GHz下为2.70，介电损耗为5×l0-3。　　 通过实验室研究和工厂测试，所制备的多孔材料具有与可伐合金相匹配的热膨胀系数α(20,400)=(4.32-4.63)×l0-6／℃，以及良好的封接性能，如润湿角为63.66。、绝缘电阻介于1011-10l2Ω之间、最大漏气率为0.6x10-9pa.m3／s、化学稳定性良好等，能够满足工业生产对其性能的要求，从而得到一种能在电子封装中具有应用前景的低介电常数封接材料。