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本论文针对高质量的InGaAsSb／AlGaAsSb量子阱激光器的特点和存在的问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延（MBE）生长、激光器的制备以及材料的研究。分析了各结构参数对量子阱材料性能的影响。取得了如下结果：从GaSb基材料（InGaAsSb、AlGaAsSb）的基本性质着手，通过二元系和三元系材料参数计算四元系材料的晶格常数、禁带宽度等，着重分析了单层InGaAsSb、AlGaAsSb材料的MBE生长参数及工艺，设计并生长了InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱半导体外延材料。利用X射线双晶衍射和PL谱研究了材料的结构特性和光学特性。通过生长条件的优化并结合理论分析，我们制备了不同波长的GaInAsSb／AlGaAsSb多量子阱材料，阱厚为1 0nm的In0．173Ga0．827As0．02Sb0．98／Al0．2Ga0．8As0．02Sb0．985个量子阱材料，在X射线双晶衍射曲线中我们观察到了5级卫星峰，在变温（10K-300K）PL实验曲线中，PL谱中样品的半峰宽23meV，室温PL峰发光波长为1．92μm。低温10K的实验曲线的发光波长为1．72μm，PL谱的半峰宽达到5meV。说明我们获得了高质量的多量子阱外延材料。