本文采用有限元的方法模拟了典型TSOP封装产品的塑封脱模过程。针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,采用有限元法模拟封装脱模阐明了芯片碎裂失效的机制。研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效。通过模拟在不同的沾污面积、形状和位置下的封装脱模,确认了最可能导致失效的条件。芯片碎裂失效可以通过使用高弹性模量的塑封料或减小硅片尺寸得以改善。本研究对于改进TSOP芯片封装工艺的可靠性具有一定的指导意义。本文还模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下的器件温度分布,分别研究了温度分布与功率密度加载、衬底材料特性以及器件沟道宽度的依赖关系。器件功率密度的减小能直接降低单位面积的发热量,从而降低沟道温度。在相同功率密度下,沟道宽度的增加将增大发热面积,因此减小沟道宽度对于降低沟道温度也有着重要的作用。改善衬底材料的导热性,能更好地将沟道中的热量从器件底部散发,否则一个很小的功率密度就会产生很高的温度。通过对器件的瞬态温度模拟,我们可以提出器件的特性时间常数。该时间常数根据衬底材料的不同而变化,采用较好的导热材料时可以将该常数降低两个量级。研究表明降低功率密度、采用导热性能良好的衬底材料、减小沟道宽度有利于降低器件自加热效应。本研究有助于对自加热退化机制的了解和揭示,对研究TFT器件自加热退化的可靠性具有一定的指导意义。