反激变换器作为开关电源的一种常见变换器已经被广泛应用于小功率场合,而随着软开关技术的发展,磁元件的绕组损耗已成为整机损耗中最主要的一部分。目前,磁元件的绕组损耗理论研究都局限于简单的绕组排布和无气隙磁芯结构,因此,本文以有气隙磁芯结构的高频磁元件绕组损耗为重点进行了深入分析与研究。磁元件的绕组损耗包含理论、实测以及仿真三种分析方法。理论分析是研究的基础,目前的Dowell模型以及其相应的改进方案由于基于无气隙的磁芯结构进行分析而具有一定的局限性。针对有气隙磁元件的理论分析问题,本文从气隙在磁场中影响的角度出发,提出用面电流对气隙进行等效替换、用镜像电流对磁芯边界进行等效替换的方法,并通过毕奥-萨伐尔定律计算出单个二维面上的绕组损耗,最终理论计算出磁元件整个绕组的损耗。磁元件绕组损耗的实验测试是验证理论分析方法正确性的必要手段。传统的磁元件损耗测量方法由于实测数据同时包含有磁芯损耗和绕组损耗,难于直接提取得到绕组损耗数据。绕组短路法虽是有效实验测试方法,但局限于只能应用在无气隙的磁元件中。针对有气隙磁元件,本文提出了用绕组替换气隙的方案,通过理论论证了该方案的可行性,并以绕组短路法为基础对绕组替换气隙方案进行实验测试,验证了该方案的准确性。磁元件绕组损耗的仿真分析也是获取绕组损耗的有效方式。目前的三维仿真方案虽在结构上最大限度贴近实际模型,仿真结果也具有高精度,但却需要花费大量的计算机资源与仿真时间。针对传统的复杂三维模型仿真分析,本文提出简化的RZ坐标系下的二维仿真方案,在理论上分析了该二维仿真分析方法能满足仿真精度要求,并针对反激变换器的磁元件进行了二维仿真分析,最终得到了其绕组损耗的仿真结果。最后,本文对实际样机磁元件的绕组损耗进行了实验测试,并将实验测试结果与仿真分析结果进行比对,验证了磁元件绕组损耗软件仿真的可行性,并对仿真结果误差成因进行了深入分析。