【摘 要】
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近年来,随着智能设备的不断普及,人们对基础原件的性能参数要求有了很大的提高,研究有机薄膜晶体管(Organic thin film transistors,OTFT)的人员也越来越多,研究的方面也越来越广。OTFT的优点有很多主要包括成本低廉,可在柔性衬底上制备并组成逻辑电路,工艺简单和可大规模制造等。OTFT主要应用在显示器,可穿戴设备以及传感器和探测器。但是OTFT也有很多亟需解决的缺点,如有
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近年来,随着智能设备的不断普及,人们对基础原件的性能参数要求有了很大的提高,研究有机薄膜晶体管（Organic thin film transistors,OTFT）的人员也越来越多,研究的方面也越来越广。OTFT的优点有很多主要包括成本低廉,可在柔性衬底上制备并组成逻辑电路,工艺简单和可大规模制造等。OTFT主要应用在显示器,可穿戴设备以及传感器和探测器。但是OTFT也有很多亟需解决的缺点,如有机半导体结晶性低,阈值电压比无机半导体高,和无机半导体器件相比稳定性比较差等。本文以咔唑、酚酞等材料合成一种新型的聚合物（CZ-PT）,并研究了以该半导体材料制成的薄膜晶体管的性能。对CZ-PT的热重特性、紫外特性、红外特性和电化学特性进行表征。根据其紫外光谱可以计算出聚合物的禁带宽度,禁带宽度为2.34e V。经过热重分析可以得知聚合物的热分解温度为365℃。通过电化学分析可以计算出聚合物的最高占据分子轨道（HOMO）和最低未占分子轨道（LUMO）能级,分别为-5.16e V和-2.82e V。并用CZ-PT聚合物为有源层材料,以三种不同材料（PVP、PVA、PMMA）作为绝缘层材料制作成有机薄膜晶体管并且比较不同的绝缘层对OTFT特性的影响。然后使用性能最好的绝缘层材料制成的OTFT器件来探究退火温度和退火时间对OTFT性能的影响。通过实验可知选用PMMA作为绝缘层的器件特性最好,绝缘层厚度为863nm。有源层在150℃退火30min时特性最好。载流子迁移率为1.83×10-2 cm2V-1s-1,阈值电压为-4.63 V,开关比为1.2×104。
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