随着全球工业化进程的不断完善,印染污水的排放逐渐增多,对环境的破坏也日趋严重。光催化氧化技术凭借其高效,操作条件温、无二次污染、可利用清洁的太阳能等独特的优势逐渐成为水污染控制领域的研究热点。本论文用水热法制备了紫外响应的NaNbO₃（NNO）光催化剂,并对其进行改性,成功合成了g-C₃N₄/NaNbO₃、M/NaNbO₃（M=Pt、Au、Ag）、NaNbO_3-x等一系列新型光催化剂。系统探究了各种制备条件下获得的新型光催化剂对染料去除的影响;借助荧光等分析测试手段,对可见光响应的催化剂的的催化机理及性能进行研究,在分析的基础上提出可能的降解机理。具体结论如下:（1）通过固相煅烧法,合成了NNO/g-C₃N₄（NNO/CN）光催化剂。各项表征分析证明CN成功负载到NNO颗粒表面,构成NNO/CN异质结。光催化降解RhB实验表明,可见光照射下,复合样品的催化活性比单体样品的性能更好,8g尿素投加量条件下合成的样品催化活性最佳。通过计算能带位置,推测了可能的电子传导路径。在此基础上,结合捕获剂实验和ESR测试结果证明,NNO/CN复合材料在降解过程中的活性物种是超氧自由基。（2）通过简单的光沉积方法,成功合成一系列负载贵金属的NNO光催化剂。由于贵金属特有的Plasmon效应,负载贵金属颗粒能够有效增强NNO的催化活性。Pt,Au,Ag三种贵金属中,Ag对NNO光催化性能的提高最显著,Pt的增益效果最差。通过捕获剂实验,分别负载三种贵金属的样品的光催化降解实验中,活性物种都是超氧自由基。（3）通过氢气还原法成功合成一系列富含氧空位的NaNbO_3-x光催化剂。过长的氢化时间将导致NaNbO₃内部产生新的晶相,从而影响光催化性能。氢化时间小于10天,随着氢化时间的增加,光催化性能逐渐提高,氢化时间大于10天,NNO半导体材料内部出现了新的晶相,导致其催化活性急剧降低。适量的氧空位在NNO VB上方区域形成了一个杂质能级,从而导致其光吸收能力增加。