陶瓷超塑性是解决陶瓷材料难于加工问题的新途径。AlN陶瓷是一种理想的电子封装材料,应用前景十分广阔,复杂形状的AlN陶瓷零件应用越来越广泛,然而到目前为止,国际上还没有制备出具有超塑性的纳米AlN陶瓷。本文采用MoSi₂作为烧结助剂,通过真空热压烧结方法烧结纳米AlN粉体,制备了具有超塑性的纳米AlN陶瓷,研究了纳米AlN陶瓷的微观组织、力学性能和超塑性性能。采用机械合金化的方法制备纳米晶MoSi₂烧结助剂,球磨时间分别为96h、144h和192h,在球磨罐转速选为510rpm的条件下分别得到三组MoSi₂粉体。对三组MoSi₂粉体做XRD、TEM、DTA及EDS等分析,得到它们的组织性能和晶粒尺寸,通过比较得出球磨时间144h的MoSi₂粉体组织均匀且晶粒尺寸最小,只有12.68nm。将球磨时间144h的MoSi₂粉体作为烧结助剂,采用真空热压烧结方法在1500℃、1600℃和1700℃的温度下烧结AlN粉体,得到纳米AlN陶瓷。为便于比较,在对应烧结温度下又烧结出纯AlN陶瓷。将得到的陶瓷块体做XRD、TEM及DTA分析以得到它们的组织性能;同时也研究了陶瓷块体材料的弹性模量、维氏硬度和断裂韧性等力学性能。通过比较得出:以MoSi₂粉体作为烧结助剂的纳米AlN陶瓷,在相同烧结温度下致密度大幅度提高,最大可以达到99.1%;而且塑性明显优于纯AlN陶瓷。对纳米AlN陶瓷进行压缩和挤压实验,在1600℃,应变速率为4.0×10^-3s^-1的条件下,压缩比达到71%,表明纳米AlN陶瓷具有优良的超塑性。在1600℃,对纳米陶瓷进行了正反复合挤压成形,成形出了陶瓷环形试件,用SuperForm有限元软件对纳米AlN陶瓷超塑性挤压过程进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,得到了纳米陶瓷超塑性变形的基本规律。