随着科技的迅速发展,半导体材料已经在一些领域中得到广泛的应用,如智能窗、显示器、太阳能电池及污水降解等方面。电致变色和光电催化性能是衡量半导体材料光电性能的主要标准,为制备光电性能优异的半导体薄膜材料,本论文以WO₃纳米块薄膜、WO₃/Ag复合薄膜和WO₃/Cu复合薄膜为主要研究对象。具体研究内容如下:（1）采用水热法在导电玻璃（FTO）上制备WO₃纳米块薄膜。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对WO₃纳米块薄膜进行表征。利用电致变色测试得到WO₃纳米块薄膜的电致变色可逆性、响应时间、着色效率和光谱透过率等参数,利用光电流和光电催化测试得到WO₃纳米块薄膜的光电流和光电催化降解效率等参数,并对其进行详细分析。经过研究水热时间对WO₃纳米块薄膜光电性能的影响,结果显示水热时间4小时的WO₃纳米块薄膜具有良好电致变色、光电流和光电催化性能。（2）在WO₃纳米块薄膜光电性能最佳（水热时间4h）的条件下,采用电沉积法将不同含量（20s,50s,80s）Ag纳米粒子负载在WO₃纳米块薄膜表面,制备出WO₃/Ag复合薄膜样品。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能谱和X-Map映射图对WO₃/Ag复合薄膜进行表征。利用电致变色测试得到WO₃/Ag复合薄膜的电致变色可逆性、响应时间、着色效率和光谱透过率等参数,利用光电流和光电催化测试得到WO₃/Ag复合薄膜的光电流和光电催化降解效率等参数,并对其进行详细分析。研究不同Ag含量对WO₃/Ag复合薄膜电致变色、光电流与光电催化性能的影响,再与单一WO₃纳米块薄膜进行对比,结果显示Ag纳米粒子沉积时间为50s的WO₃/Ag复合薄膜具有最佳的电致变色、光电流和光电催化性能。（3）在WO₃纳米块薄膜光电性能最佳（水热时间4h）的条件下,采用电沉积法将不同含量（20s,50s,80s）Cu纳米粒子负载在WO₃纳米块薄膜表面,制备出WO₃/Cu复合薄膜样品,通过X射线衍射、扫描电子显微镜和能谱对WO₃/Cu复合薄膜进行表征。利用电致变色测试得到WO₃/Cu复合薄膜的电致变色可逆性、响应时间、着色效率和光谱透过率等参数,利用光电流和光电催化测试得到WO₃/Cu复合薄膜的光电流和光电催化降解效率等参数,并对其进行详细分析。研究不同Cu含量对WO₃/Cu复合薄膜电致变色、光电流和光电催化性能的影响,再与单一WO₃纳米块薄膜进行对比,结果显示Cu纳米粒子沉积时间为50s的WO₃/Cu复合薄膜具有最佳的电致变色、光电流和光电催化性能。